优异的性能和稳定性。其TO263封装具有良好的散热性能和适中的尺寸，适合于中高功率应用场合。### 二、详细参数说明- **型号：** 3PN0603-VB TO
2024-11-07 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4N0609-VB TO263 MOSFET 产品简介4N0609-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO263 封装。它具有优秀的性能特征，包括低
2024-11-13 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4P0404-VB TO263 MOSFET 产品简介4P0404-VB 是一款单 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO263 封装。它具有负漏极-源极电压
2024-11-13 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 200N6F3-VB TO263 MOSFET产品简介：VBsemi的200N6F3-VB TO263是一款TO263封装的单通道N沟道MOSFET。该产
2024-07-09 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 18P06P-VB TO263 MOSFET产品简介：VBsemi的18P06P-VB TO263是一款TO263封装的单通道P沟道MOSFET。该产品具
2024-07-08 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4N0607-VB TO263 产品简介4N0607-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。该产品具有低导通电阻和高电流承载能力，适用于需要高效能和高可靠性的电力管理和开关
2024-11-13 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**50N06-VB TO263**50N06-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。它具有漏源极电压（VDS）为60V的特性，适用于中功率电路设计。采用
2024-11-14 10:43 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi 19NF20-VB TO263 MOSFET产品简介：19NF20-VB TO263是一款单N沟道场效应管，具有200V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS
2024-07-08 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7N60H-VB TO263型号的产品简介7N60H-VB是一款高压单N沟道功率MOSFET，适用于需要高电压和较高电流处理能力的应用。它采用Plannar技术制造，封装在TO263外壳
2024-11-20 17:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 230N06L-VB TO263 产品简介230N06L-VB TO263 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力。封装为
2024-07-10 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号
