### 一、产品简介**型号：20P06-VB TO252**VBsemi的20P06-VB TO252是一款高性能单P沟道MOSFET，采用了Trench技术。该器件具有高耐压、低导通电阻等特点
2024-07-09 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
1. **产品简介：** 9971-TO252-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道场效应管。其丝印标识为 VBE1638。该器件采用 TO252 封装，具有优异
2024-05-22 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7N65-VB TO252 产品简介7N65-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，封装形式为TO252。具有高达650V的耐压能力和低导通电阻特性
2024-11-21 11:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 24N06-VB TO252 MOSFET 产品简介#### 一、产品简介VBsemi的24N06-VB TO252是一款单N-沟道MOSFET，采用了Trench技术。该器件具有低导通电
2024-07-10 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 22N10-VB TO252 MOSFET 产品简介#### 一、产品简介VBsemi的22N10-VB TO252是一款单N-沟道MOSFET，采用了Trench技术。该器件具有高漏源电压
2024-07-10 10:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N06-VB TO252 MOSFET 产品简介#### 一、产品简介VBsemi的20N06-VB TO252是一款单N-沟道MOSFET，采用了先进的Trench技术。该器件具有低导
2024-07-09 15:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5N60-VB TO252**是一款单通道N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有较高的耐压和电流能力。该MOSFET的设计采用平面技术，确保了其在高压应用中的可靠性和稳定性
2024-11-14 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi 1N60-VB TO252是一款单N沟道功率MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用Plannar技术，适用于
2024-07-09 13:50 微碧半导体VBsemi 企业号
1. **产品简介：** 76429D-TO252-VB 是由 VBsemi 生产的 N-Channel 沟道场效应管。其丝印标识为 VBE1638。该器件采用 TO252 封装，具有
2024-05-21 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N06L-VB TO252 产品简介20N06L-VB TO252 是一款高效能的单 N 沟道 MOSFET，专为满足现代电源管理和开关应用而设计。该产品采用先进的沟槽技术，具备低导通电
2024-07-09 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
