源电压、20A的漏极电流承载能力，适用于中高压应用。该产品封装在TO247中，具有优越的热性能和电气特性，适用于各种电力和电子领域。### 二、详细参数说明- *
2024-07-09 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
TO247封装，适用于多种领域和模块，提供可靠的性能和高效的功率控制。### 参数说明- **型号:** 18NM80-VB TO247- **封装:**
2024-07-08 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介20N50-VB TO247 是 VBsemi 生产的一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO247，适用于高压、高功率的电源开关和电机驱动等应用。采用多重外延结构
2024-07-09 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 21NM60ND-VB TO247 产品简介21NM60ND-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为
2024-07-09 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20N60CFD-VB TO247 产品简介20N60CFD-VB TO247 是一款高压高功率单 N-沟道 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术，封装形式为
2024-07-09 15:58 微碧半导体VBsemi 企业号
、低导通电阻等特点，适用于各种高功率电源电子应用场合。其TO247封装适合中高功率电路设计，具有良好的散热性能和可靠性。### 二、详细参数说明- **封装类型*
2024-07-10 15:38 微碧半导体VBsemi 企业号
### 17N62K3-VB TO247 产品简介VBsemi的17N62K3-VB TO247是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有较高的漏源电压和较低的导通电阻。这款
2024-07-08 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**VBsemi的19NM50N-VB是一款TO247封装的单N沟道MOSFET。它具有500V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。采用
2024-07-08 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
，具有较低的导通电阻和高的漏极电流能力，适用于各种高性能电源管理和开关应用。### 21N50C3-VB TO247 详细参数说明- **封装类型**: TO24
2024-07-09 17:14 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5R140P-VB TO247**是一款高性能单N沟道功率MOSFET，专为高电压和高电流应用而设计。采用TO247封装，适合于需要高可靠性和低导通电阻的功率电子系统和控制
2024-11-15 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
