，具有良好的散热特性和可靠的电性能。### 二、7N60-VB TO220型号的详细参数说明- **封装类型**：TO220- **配置**：单N沟道- **漏源电压
2024-11-20 17:47 微碧半导体VBsemi 企业号
，适用于各种高压电源电子应用场合。其TO220封装适合中等功率电路设计，具有良好的散热性能和可靠性。### 二、详细参数说明- **封装类型**：TO220- **
2024-07-09 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 80N06-VB TO220 MOSFET 产品简介80N06-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 Trench 技术制造，适用于中压和高电流的应用场合。其封装为 TO220，具备
2024-11-21 14:49 微碧半导体VBsemi 企业号
### 20NF20-VB TO220 产品简介20NF20-VB TO220 是一款高性能的单 N-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO220。具有较低的导通电阻和较高
2024-07-09 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 21N10-VB TO220 产品简介21N10-VB TO220 是一款单N沟道MOSFET，采用了沟槽技术制造，具有高性能和可靠性。封装为TO220，适用于各种应用场合，如电源开关、电机
2024-07-09 17:09 微碧半导体VBsemi 企业号
为TO220，具有良好的散热性能和高可靠性。**产品特点**：- **高电压承受能力**：VDS为650V，适用于高压范围内的应用。- **高栅极电压**：VGS为±
2024-07-06 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
的连续漏极电流能力，适用于多种开关和功率管理应用。其采用了TO220封装，便于散热和安装。具有出色的低导通电阻特性，使其在高效能和可靠性方面表现出色。### 二、5
2024-11-14 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
和20A的最大漏极电流能力，适合要求严格的功率开关和电源管理应用。采用TO220封装，具有优秀的散热性能和适中的安装便利性。利用SJ_Multi-EPI技术，提供低导通
2024-11-15 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
、低导通电阻等特点，适用于各种高压电源电子应用场合。其TO220封装适合中高功率电路设计，具有良好的散热性能和可靠性。### 二、详细参数说明- **封装类型**
2024-07-09 16:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 7N80H-VB TO220 MOSFET 产品简介7N80H-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用平面技术制造，适用于高压和高功率应用场合。其封装为 TO220，具备良好的散热
2024-11-21 11:58 微碧半导体VBsemi 企业号
