UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封装中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面贴装
2024-02-26 19:57 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
100N3LF3-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V
2024-07-04 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
SSM3J36FS（VBTA2245N）是一款P沟道MOS型晶体管，采用SC75-3封装。该产品具有-20V的耐压能力和-0.4A的额定电流。其导通电阻RDS(ON)在4.5V时为450mΩ，在
2023-11-30 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 07N65C3-VB MOSFET产品简介**07N65C3-VB**是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO220封装，具备650V的漏源极电压（VDS）和±30V的栅源极电压（VGS
2024-07-03 15:32 微碧半导体VBsemi 企业号
SSM3J327R是VBsemi品牌推出的一款P沟道MOSFET产品，丝印型号为VB2290；采用SOT23-3封装。该产品的特性包括额定电压为-20V，额定电流为-4A，RDS(ON)参数为57m
2023-11-30 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号
(V)；TO252封装：TO252详细参数说明：- 型号：SUD40N10-25-E3-VB- 丝印：VBE1104N- 品牌：VBsemi- 沟道类型：N沟道-
2023-12-20 10:39 微碧半导体VBsemi 企业号
10D3L-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±），以及1.7V的阈值电压（Vth）。其在VGS=4.5V时的导
2024-07-04 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
08N50C3-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时的导
2024-07-03 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
封装，适用于多种领域和模块，提供可靠的性能和高效的功率控制。### 参数说明- **型号:** 19N10G-TA3-T-VB- **封装:** TO220- *
2024-07-08 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：16N50C3-VB**16N50C3-VB是VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该产品具有高耐压性和低导通电阻，适用于高压、高电流的开关电源
2024-07-08 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
