高性能的N沟MOSFET,设计用于高电压和高电流的应用。采用TO-220封装和Trench技术,这款MOSFET具有极低的导通电阻和卓越的电流处理能力,非常适合需
2025-08-05 09:42 微碧半导体VBsemi 企业号
高性能的N沟MOSFET,专为高电压和高电流应用设计。采用TO-220封装和先进的Trench技术,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合各种要求高效能和高可靠性的
2025-08-04 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### 2SJ605-VB 产品简介2SJ605-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET,采用TO-220封装。它采用了先进的Trench技术,提供了卓越的导通电阻和高电流能力,适用于各种功率管
2024-07-15 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
高性能的N沟MOSFET,设计用于60V高电压和超高电流应用。该MOSFET采用TO-220封装,利用先进的Trench技术,具有极低的导通电阻和卓越的电流处理能
2025-08-05 11:31 微碧半导体VBsemi 企业号
高性能的N沟MOSFET,设计用于40V高电压和超高电流应用。采用TO-220封装和先进的Trench技术,这款MOSFET具有极低的导通电阻和出色的电流处理能力
2025-08-05 10:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N0605-VB TO220是一款单N沟道MOSFET,采用TO-220封装。其设计通过使用先进的Trench技术,提供高效能和可靠性。此型号的MOSFET适用于需要高电流处理和低
2024-11-13 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ247-VB产品简介2SJ247-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET,采用TO-220封装。该器件具有高漏极-源极电压(VDS)、低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种要求严格
2024-07-12 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ492-VB产品简介2SJ492-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET,采用TO-220封装。该器件具有高漏极-源极电压(VDS)、低导通电阻和高电流处理能力,适用于各种要求严格
2024-07-15 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号