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型号：2SJ605-VB 品牌：微碧

### 2SJ605-VB 产品简介2SJ605-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用TO-220封装。它采用了先进的Trench技术，提供了卓越的导通电阻和高电流能力，适用于各种功率管

2024-07-15 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SVG086R0NT 品牌：

电容■ 开关速度快■ 提升了dv/dt能力骊微电子供应120A 80v的大功率mos管SVG086R0NT to-220封装，更多产品详细参数、规格书

2022-04-13 14:42 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：4N0605-VB TO<b class='flag-s-7'>220</b> 品牌：微碧

### 产品简介4N0605-VB TO220是一款单N沟道MOSFET，采用TO-220封装。其设计通过使用先进的Trench技术，提供高效能和可靠性。此型号的MOSFET适用于需要高电流处理和低

2024-11-13 14:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：6N60 品牌：鲁晶

鲁晶6N60 TO-220F封装，高压MOS管，可提供样品测试，样品免费。鲁晶半导体提供高压MOS管，TO-220/TO-126/TO-92等全系列封装产品规格，如有需

2021-06-26 11:06 济南鲁晶半导体 企业号

型号：2SJ247-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ247-VB产品简介2SJ247-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET，采用TO-220封装。该器件具有高漏极-源极电压（VDS）、低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种要求严格

2024-07-12 16:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2SJ492-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ492-VB产品简介2SJ492-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET，采用TO-220封装。该器件具有高漏极-源极电压（VDS）、低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种要求严格

2024-07-15 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2SJ303-VB 品牌：微碧

### 一、2SJ303-VB产品简介2SJ303-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET，采用TO-220封装。该器件具有高漏极-源极电压（VDS）、低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种要求严格

2024-07-12 17:10 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：3108A-VB TO<b class='flag-s-7'>220</b> 品牌：微碧

### 产品简介**型号：3108A-VB**3108A-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术制造。该器件封装在TO-220封装中，具有80V的漏源电压和100A的漏极

2024-11-04 17:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2SK1159-VB 品牌：微碧

### 2SK1159-VB 产品简介2SK1159-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO-220封装，适用于各种功率控制和开关应用。该器件具有高耐压能力和低导通电阻，适用于要求高效率

2024-07-16 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：2SK1157-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：2SK1157-VB**2SK1157-VB是一款采用TO-220封装的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有中等漏极电压和低导通电阻，适用于需要

2024-07-16 14:40 微碧半导体VBsemi 企业号