概述TK0430D立体声耳机驱动器设计适用于电路板空间位于奖赏。TK0430D 使用独特的 DirectDrive用于产生接地参考输出的体系结构从单一电源,无需大直流锁紧电容,节省成本,板空间
2022-07-08 17:37 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
### TK3A65D-VB MOSFET 产品简介**TK3A65D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单极N通道** MOSFET,特别适用于需要高电压承受能力和稳定开关
2025-09-19 17:21 微碧半导体VBsemi 企业号
### TK12A65D-VB MOSFET 产品简介TK12A65D-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 型 MOSFET,适用于高电压和中功率开关电路,具有 650V 的漏源电压
2025-09-19 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号
**TK12A53D-VB MOSFET 产品简介**TK12A53D-VB是一款高压N通道MOSFET,封装为TO220F,专为高电压应用而设计,具有650V的漏源电压(VDS)。该MOSFET
2025-09-19 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### TK9A45D-VB MOSFET 产品简介TK9A45D-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,专为高电压应用设计,具有 650V 的最大漏极源电压
2025-09-22 13:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### TK8A45DA-VB MOSFET 产品简介TK8A45DA-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,采用 TO220F 封装,适用于高电压、大电流的开关应用。该 MOSFET
2025-09-22 11:48 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:TK11A45D-VB MOSFET**TK11A45D-VB** 是一款采用 **TO220F** 封装的 **单 N 通道 MOSFET**,具备 **650V** 的漏源电压
2025-09-19 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### TK5A45DA-VB MOSFET 产品简介TK5A45DA-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,设计用于中高电压功率开关应用。该型号的最大漏极源电压
2025-09-22 10:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### TK7A50D-VB MOSFET 产品简介TK7A50D-VB 是一款采用 TO220F 封装的单极 N 沟道功率 MOSFET,专为高电压、大电流应用而设计。该 MOSFET 具有
2025-09-22 11:29 微碧半导体VBsemi 企业号