最新的「倾斜离子注入」(TII)制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸... 最新的「倾斜离子注入」(TII)制程据称能够实现比当今最先进制程更小达9nm的特征尺寸... 美国柏克莱
2017-02-08 01:52
美国柏克莱实验室(Berkeley Lab)的研究人员日前发表最新的「倾斜离子注入」(tilted ion implantation,TII)制程,据称能够降低制造先进芯片的成本、缩短研发时间,同时实现比当今最先进制程更小达的9奈米(nm)特征尺寸。
2017-02-07 11:10
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