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型号：80N<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB 品牌：微碧

### 一、80N6F6-VB 产品简介80N6F6-VB 是一款由 VBsemi 公司生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。它具有高电流承载能力和

2024-11-21 15:37 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10P<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。这款MOSFET具有60V的漏源极电压（VDS），

2024-07-05 13:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R450E6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 1. 产品简介**6R450E6-VB TO220F MOSFET**6R450E6-VB TO220F是一款单

2024-11-19 10:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：10P<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO252 品牌：微碧

### 一、10P6F6-VB 产品简介10P6F6-VB 是由 VBsemi 生产的单 P-沟道 MOSFET，封装类型为 TO252。采用槽沟技术设计，具有较低的导通电阻和较高的耐压，适用于需要

2024-07-05 13:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：80N<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 一、80N6F6-VB TO220 产品简介80N6F6-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术制造，封装形式为TO220。具有60V的耐压能力

2024-11-21 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：260N<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB TO220 品牌：微碧

### 260N6F6-VB 产品简介260N6F6-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET，采用 Trench 技术，封装形式为 TO220。具有较低的导通电阻和高漏极电流承载能力，适用于需要

2024-07-10 17:32 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R190C6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 产品简介6R190C6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适合于中高功率和中高压的电力电子应用。它具备较低的导通电阻和高连续漏极电流能力，适用于要求高效能

2024-11-18 17:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R160C6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

和低导通电阻的电路设计。### 2. 参数说明- **型号**: 6R160C6-VB- **封装**: TO220F- **配置**: 单N沟道- **VDS (

2024-11-18 17:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：77N<b class='flag-s-7'>6F6</b>-VB 品牌：微碧

### 一、77N6F6-VB 产品简介77N6F6-VB 是一款由 VBsemi 公司推出的高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-220。该 MOSFE

2024-11-20 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6R600P6</b>-VB TO220<b class='flag-s-7'>F</b> 品牌：微碧

### 6R600P6-VB MOSFET 产品简介6R600P6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和12A的漏电流能

2024-11-19 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号