电子发烧友

型号：<b class='flag-s-7'>TCL</b>1-19+ 品牌：

小电路的TCl1-19+是频率为800兆赫至1.9千兆赫的巴伦,插入损耗0.13至1.22分贝,电流30毫安,功率0.25瓦,返回损耗5.94至20.13分贝。   

2023-08-22 13:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>TCL</b>1-19G2+ 品牌：

微型电路的TCL1-19G2+是一个频率为800兆赫至1.9千兆赫的不对称电路,插入损耗0.13至1.22分贝,电流30毫安,功率0.25瓦,返回损耗5.94至20.13分贝。  

2023-08-22 13:42 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>TCL</b>1-11+ 品牌：

; 产品细节部分编号TCL1-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。G,平衡输电线路,0.50-6,700兆赫一般参数配置转换器类型平衡平

2023-08-22 11:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N65L</b>-TN3-T-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi 6N65L-TN3-T-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术制造，适用于高压应用。这款MOSFET具有稳定的性能和高效率，非常适合需要

2024-11-18 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N60L</b>-TF3-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：6N60L-TF3-T-VB**6N60L-TF3-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术，具备高电压和中等电流承受能力，适合需要稳定功率控制

2024-11-18 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N60L</b>-TA3-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介**型号：6N60L-TA3-T-VB**6N60L-TA3-T-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术，具备高电压和中等电流承受能力，适用于各种需要稳定功率

2024-11-18 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N10L</b>-TN3-R-VB 品牌：微碧

### 产品简介**6N10L-TN3-R-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，具备优异的开关特性和导通能力。该器件适用于需要高效能量转换和功率控制的应用场合。### 详细

2024-11-18 15:17 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N90L</b>-TA3-T-VB 品牌：微碧

### 一、6N90L-TA3-T-VB产品简介6N90L-TA3-T-VB 是一款VBsemi公司推出的单N沟道MOSFET，采用先进的超结多重外延（SJ_Multi-EPI）技术。该器件设计用于

2024-11-18 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N65L</b>-TN3-R-VB 品牌：微碧

### 6N65L-TN3-R-VB MOSFET 产品简介6N65L-TN3-R-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装。它具有650V的漏源电压和5A的漏电流能力，适合于需要中等

2024-11-18 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>6N90L</b>-TF3-T-VB 品牌：微碧

### 1. 产品简介VBsemi 6N90L-TF3-T-VB 是一款单N沟道场效应管，采用了SJ_Multi-EPI技术，设计用于高压应用。具有高达900V的漏极-源极电压（VDS），适合需要

2024-11-18 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号