小电路的TCl1-19+是频率为800兆赫至1.9千兆赫的巴伦,插入损耗0.13至1.22分贝,电流30毫安,功率0.25瓦,返回损耗5.94至20.13分贝。  
2023-08-22 13:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
微型电路的TCL1-19G2+是一个频率为800兆赫至1.9千兆赫的不对称电路,插入损耗0.13至1.22分贝,电流30毫安,功率0.25瓦,返回损耗5.94至20.13分贝。  
2023-08-22 13:42 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
; 产品细节部分编号TCL1-11+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。G,平衡输电线路,0.50-6,700兆赫一般参数配置转换器类型平衡平
2023-08-22 11:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
; 产品细节部分编号TCL1-11G2+制造商微型电路描述射频变压器,表面安装,配置。G,平衡输电线路,0.50-6,700兆赫一般参数
2023-08-22 13:37 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
MTNK3N3-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi**详细参数说明:**- 封装类型:SOT23- 沟道类型:N-Channel- 额定电压:20V- 额定电流:6A- RDS
2024-04-01 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3N45K3-VB MOSFET**The 3N45K3-VB is a high-voltage N-Channel MOSFET designed
2024-11-07 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介3N40K3-VB是VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用SOT223-3封装。该器件具有650V的漏源电压(VDS)和±30V的栅源电压(VGS),适用于要求高电压的功率管
2024-11-07 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
100N3LF3-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),1.7V的阈值电压(Vth),在VGS=4.5V
2024-07-04 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、3N80L-TA3-T-VB 产品简介3N80L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。该产品具有850V的漏源极电压(VDS),30V的栅源极电压(VGS
2024-11-07 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号