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    关于作者--SiTime样品中心为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。SiT5356是SiTime推出的一款1-60MHZ输出的超高精度、抗冲击、芯片级、可编程的温度补偿型振荡器,可提供0.1 ppb/g 振动免疫力,不会产生频率扰动或微跳变。广泛应用于小型基站、IEEE1588、光传送 - SONET / SDH,OTN、同步以太网及光学设备。 SiT5356具有超高的稳定性(±0.1 ppm至±0.25 ppm),出色的动态性能和丰富的功能。将会让小型基站、微波回传、同步以太网及光学设备的动态性能提升30 倍,动态稳定性提升 10 倍达 1 ppb/℃,可取代 IEEE 1588 应用中价格昂贵的恒温槽控制石英晶振(OCXO);抗振性增加 20 倍,确保系统持续运行;10/40/100G 以太网的可靠性提升30 倍;可运行于-40℃至 +105℃温度范围,特别适合无风扇户外设备。在高温、热震荡、振动以及不可预期的气流下持续运行。SiT5356选型参数    振荡器类型:TCXO    频率:1 - 60MHz任意频率,可精确到小数点后6位    频率稳定性:±0.1ppm、±0.2ppm、±0.25ppm    相位抖动(rms):0.31ps    输出类型:LVCMOS、Clipped sinewave(削峰正弦波)    工作温度:-20℃ ~ +70℃、-40℃ ~ +80℃、-40℃ ~ +105℃    牵引范围:±6.25ppm、±10ppm、±12.5ppm、±25ppm、±50ppm、±80ppm、±100ppm、±125ppm、±150ppm、±200ppm、±400ppm、±600ppm、±800ppm、±1600ppm、±3200ppm    电源电压:2.5V、2.8V、3.0V、3.3V    封装尺寸:5.0mm x 3.2mmSiT5356特点    在气流、快速温度和斜坡作用下,具有优异的动态稳定性    ±100ppb的频率稳定性    3e-11 ADEV 在 10 秒平均时间    ±15 ppb/°C 频率斜率 (ΔF/ΔT),10°C/min 斜坡    确保恶劣环境中电信和网络设备的系统级服务质量    振动下的相位噪声提高 20 倍    最大限度地减少高振动环境中的呼叫和/或链路中断    没有活动下降或微跳    无需进行昂贵的筛选或老化测试    0.2 ps/mV 电源噪声抑制 (PSNR)    通过消除用于 TCXO 的专用 LDO 来减少 BOM    LVCMOS 或削波正弦波输出    优化以实现 EMI 和抖动之间的最佳平衡    1 至 60 MHz 之间的任何频率    2.25 至 3.63 V    ±6.25 至 ±3200 ppm 的牵引范围    自定义 TCXO 规格以获得最佳系统性能    通过 I2C 进行数字频率调谐    消除电路板噪声引起的频移    10 亿小时 MTBF    终身保修    减少由于时钟组件引起的维修成本和现场故障SiT5356应用关于作者--SiTime样品中心为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。

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