声明:欢迎批评指正目标:解决手机充电速度慢问题运行手机:OPPO R9MLet's go!方法一:手机关机充电方法二:关闭手机部分功能，比如移动数据，无线网络，蓝牙连接，GPS，亮度等方法三:关闭
2021-09-14 08:30
STM32F1移植CH32F103C8T6内部FLASH速度慢问题解决办法博主做项目一直采用STM32F103C8T6，近期因为元器件涨价博主决定换单片机，于是瞄上了江苏沁恒
2022-01-26 06:46
NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦写次数是NOR 的十倍；NAND 的擦除和写入
2021-12-23 06:52
一般可通过PAD连接闪存，比如Cadence公司的Octal-SPI NAND Flash controller, 支持8-bit的数据和地址传输，这样的速度会比传统的单比特串行SPI快很多。因为
2022-07-01 10:28
这里写自定义目录标题海思入门笔记：HiBurn工具实现镜像烧写第一步：裸板可使用串口先烧录boot（速度慢）第二步：已烧好boot的板子，可使用USB快速烧录海思入门笔记：HiBurn工具实现镜像烧
2021-12-03 06:11
，然后再发出“写指令”进行写操作。由于对NAND闪存的操作都是以块和页为单位的，所以在向NAND闪存进行大量数据的读写时，NAN
2013-04-02 23:02
说明：速度快LED显示灯多，速度慢LED显示灯少，显示次序从下向上。设备：程序：#include#define LSA P1_5#define LSB P1_6#define LSC
2022-01-10 06:31
由于项目需要大量的图片字库还有音频文件，所以外挂了NOR flash和NAND flash，需要用到烧写算法STLDR（就是包含几段在SRAM里面运行的代码），调试的时候遇到了几个问题，都是大意造成
2022-01-26 07:17
就提高了系统的扩展性。【Nand flash的一些典型(typical)特性】1.页擦除时间是200us，有些慢的有800us。2.块擦除时间是1.5ms.3.页数据读取到数据寄存器的时间一般是20us
2018-06-12 10:13
。Target#cat /proc/mtdTarget# flash_erase /dev/mtd11 0 0图 12NAND FLASH写速度测试进入评估板文件系统，执行如下命令对
2020-09-08 10:56
