; NANDFLASH_CLE = CMD_ERASE_CONFIRM;中ALE为什么这么算，跟nand芯片的参数怎么结合对应起来？
2019-10-28 09:30
，就是高电平有效。【为何需要ALE和CLE】突然想明白了，Nand Flash中,为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂的原因了:比如命令锁存使能(Command Latch Enable,
2018-07-18 15:48
，比如上面的CLE，就是高电平有效。【为何需要ALE和CLE】突然想明白了，Nand Flash中,为何设计这么多的命令,把整个系统搞这么复杂的原因了:比如命令锁存使能
2018-06-12 10:13
( Ad-dress Latch Enable，ALE)，就是先要发一个CLE(或ALE)命令,告诉NAND Flash 的控制器一声,下面要传的图1
2020-11-05 09:18
SD NAND与MCU（STM32系列）最佳拍档
2021-11-18 16:51
[tr=transparent]下面是stm32 NAND闪存成功读取ID程序：（这里我采用的是库代码与裸寄存器操作） #include "stm32
2018-07-04 02:33
VDNF8G08XS50XX1V25是8G位NAND闪存设备，工作电压为3.3V。该设备包含1个模具，模具以1Gx8bit格式提供，可独立操作同时通过软件。输出管芯的输入/输出端口和控制引脚（ALE、CLE、#WE、
2022-06-08 10:43
以基本的块单位进行顺序存取，所以不需要以随机存取为前提的地址引脚。接着我们针对各个信号引脚进行简单的说明。▲ I／O 1 ～I／O 8这样的信号引脚进行着地址、指令及数据的输人输出等，与ALE及CLE信号
2018-04-11 10:10
ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子层刻蚀。是和ALD相对的，均是自限性反应，一个是沉积一个是刻蚀。ALD是每个循环只沉积一层原子，ALE是每个循环只刻蚀
2024-12-20 14:15
微米NAND闪存设备包括用于高性能I/O操作的异步数据接口。这些设备使用高度复用的8位总线（DQX）来传输命令、地址和数据。实现异步数据接口的控制信号有五种：CE、C、CLE、ALE、WE、RE等。附加信号控制硬件写
2018-08-15 08:00
