HJ521/ HJ521-2/ HJ521-4 系列为全密封单/双/四通道光电耦合器。每一通道由一个 CaAsP 发光二极管和一个光学上耦合的 NPN 光敏管构成，具有
2022-02-13 13:44 陕西航晶微电子有限公司 企业号
Mini Circuits 的 ZGDC6-521-N+ 是一款定向耦合器，频率为 130 至 520 MHz，耦合 6 dB，耦合变化 ±1.0 dB，方向性 18 至 26 dB，平均功率 60
2023-08-30 13:37 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介VBsemi的2604GY-VB是一款N沟道MOSFET，适用于各种低压、中压和高压应用。它具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力，内部电阻（RDS(ON)）为30m
2024-05-20 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi 2602GY-VB是一款N沟道MOSFET功率场效应管，具有30V的额定电压和6A的额定电流。其低导通电阻（RDS(ON)）和低阈值电压（Vth）使其在各种应用中表
2024-05-20 16:00 微碧半导体VBsemi 企业号
描述 小功率STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm Cortex -M4 32位RISC内核，工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元
2023-09-21 10:51 深圳芯领航科技有限公司 企业号
一、产品简介：VBsemi的2530GY-VB是一款双通道（2个N+P）沟道MOSFET，具有宽广的应用领域和卓越的性能表现。该产品适用于各种电子设备和电路设计，是工程师们实现电路控制和功率管
2024-05-20 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
STM32F103RCT6 - 高性能 ARM Cortex-M3 微控制器产品基本信息:STM32F103RCT6是由STMicroelectronics公司推出的32位ARM Cortex-M3
2024-04-30 10:43 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
产品简介：AP2606GY-VB是VBsemi品牌的N—Channel沟道场效应晶体管，具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力。其关键参数包括RDS(ON)=30mΩ@VGS=10V，VGS
2024-05-27 17:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AP2605GY-VB** 是一款单P-沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。该器件适用于中低功率应用，具有优秀的导通特性和稳定的性能，适合要求高效能转换和空间紧凑
2024-12-17 13:43 微碧半导体VBsemi 企业号
