电压范围 ±20V 门源阈值电压 1.6V 封装类型 TO252应用简介 B09N03A（丝印 VBE1307）是VBsemi公司生产的一款N沟道功率MOSFET。
2023-11-01 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N20H-VB 产品简介：09N20H-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 TO252。该器件具有 200V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS
2024-07-04 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
09N20H-LF-VB是一款TO252封装的单路N沟道MOSFET。它的主要特性包括200V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），3V的阈值电压（Vth），在VGS
2024-07-04 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ 4.5V, 20Vgs (±V)- 阈值电压（Vth）：2V- 封装类型：TO252应用简介：SPD09N05-VB是一款N沟道功率MOSFET，适用于多
2023-12-20 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N50C3-VB 产品简介：09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管，采用 TO220 封装，主要特点包括：- **VDS（漏极-源极电压）**：650V，适用于高压
2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
为 4000 的变容二极管。标签：表面贴装。MGV100-09-0805-2 的更多详细信息见下文。 产品规格产品详情零件号MGV100-09-0805
2023-04-10 16:44 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
描述 小功率STM32F427xx和STM32F429xx器件基于高性能Arm Cortex -M4 32位RISC内核，工作频率高达180 MHz。Cortex-M4内核具有浮点单元
2023-09-21 10:51 深圳芯领航科技有限公司 企业号
器件型号: ZXMN6A09DN8TA-VB品牌: VBsemi丝印: VBA3638封装: SOP8详细参数说明：- 极性: N沟道MOSFET- 额定电压: 60V- 额定电流: 6A- RDS
2024-04-12 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
