### 09N20H-VB 产品简介:09N20H-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO252。该器件具有 200V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极电压(VGS
2024-07-04 14:31 微碧半导体VBsemi 企业号
09N20H-LF-VB是一款TO252封装的单路N沟道MOSFET。它的主要特性包括200V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,正负值),3V的阈值电压(Vth),在VGS
2024-07-04 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 09N50C3-VB 产品简介:09N50C3-VB 是一款单路 N-沟道场效应管,采用 TO220 封装,主要特点包括:- **VDS(漏极-源极电压)**:650V,适用于高压
2024-07-04 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
为 4000 的变容二极管。标签:表面贴装。MGV100-09-0805-2 的更多详细信息见下文。 产品规格产品详情零件号MGV100-09-0805
2023-04-10 16:44 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
09P06PL-VB 是一款 TO252 封装的单通道 P 沟道 MOSFET。它具有以下主要参数:- VDS(漏极-源极电压):-60V- VGS(栅极-源极电压):±20V- Vth(阈值电压
2024-07-04 14:47 微碧半导体VBsemi 企业号
09N03LA-VB是VBsemi推出的TO252封装单路N沟道MOSFET产品。以下是该产品的详细参数说明:- **包装:** TO252- **配置:** 单路N沟道- **漏极-源极电压
2024-07-04 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号
、DAC、比较器、通用定时器、看门狗定时器、RTC、DMA控制器等,可广泛应用于各类低功耗电子产品。STM32L431CCT6采用LQFP48封装,具有出色的低功耗
2024-04-30 14:23 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
STM32L071CZY6 电子元器件 ST 封装WLCSP-49描述:接入线超低功耗 STM32L071xx 微控制器包含以 32 MHz 频率运行的高性能 Arm Cortex-M0+ 32 位
2022-08-03 15:35 深圳市美佳特科技有限公司 企业号