擦flash时，中断不会运行，我将中断向量表复制到了RAm区，SCB->VTOR也指向了RAM区，中断函数也被我搬到了RAM区，可为什么插FLASH时中断还是不能运行呢？
2024-03-06 07:35
。STM32F103x8, STM32F103xB1. FLASH擦写时间和电流2.FLASH擦写次数和数据保存年限擦写1万次，保存20年。
2021-08-05 06:46
请问高手们STM32F105芯片的内部flash能快速擦除吗？因为要做个升级系统的程序，一页一页的擦除内部flash有点耗费时间 请问内部flash能不能快速擦除啊 ，
2015-04-13 15:25
擦除后，可看到整页为65535. 然后进入HAL_FLASH_Program 最后在FLASH_Program_Fast(Address, (uint32_t)Data);下一步 仿真报错
2024-03-28 06:56
。使用的开发板是STM32f10x系列，Flash芯片是W25Q64。二、简介Flash是属于非易失性存储器，又称为闪存，和EEPROM一样都是掉电后数据不会丢失的存储器。不过，
2021-12-10 06:59
flash较之eeprom的一大缺点是擦除以页或扇区为单位。这样带来的问题是，即使用户只需要修改一个字节的内容，必须先擦除该字节所在的整页，然后还要将之前该页已存在的内容重复写入flash。如果主机
2021-11-26 07:35
NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16
我想保存少量的设置数据在FLASH中，这样断电数据不丢失。F2XX和F4XX的FLASH，一擦就是一个扇区，前面的几个扇区还小一些，后面的扇区都是128K。程序得从开头运行吧，只能使用最后一个扇区，可后面的扇区都是1
2019-03-21 08:04
N76E003 FLASH 擦写次数几项不太清楚，还请指教 1，FLASHE当EEPROM用时，我在第一次用的时候已经擦除整页了，后续如果我想改变一页中的个别字节时，是否需要在将一整页擦除在重写
2023-06-25 10:24
#include "stm32f10x.h"#include /* STM32 内部 FLASH 配置 */#define STM32_FLASH_
2021-08-11 06:58
