入引导加载程序模式等。每当更新引导加载程序闪存数据时，我都会先擦除整个扇区。然后我对我的数据进行编程。我注意到在 1-3 次闪存写入后，包含引导加载程序闪存数据的扇区损坏并且内
2023-02-06 07:37
我正在使用 stm32f746 和 touchGFX 开发一个项目。我需要将一些数据存储到闪存中并在需要时更改它，我想我必须擦除整个扇区，但我不想这样做，因为我在每个扇区都有一些数据。我现在使用 85% 的闪存。那么
2023-02-03 10:41
我正在将一些代码从 stm32f105 移植到 stm32f205。stm32f105 的内存在 64 页 2kbytes 中被擦除（我可以处理这个）
2023-01-05 09:03
STM32F407的FLASH为什么只能按扇区擦除？怎样使用STM32F407内部扇区储存数据？
2021-09-24 12:04
，这是因为 ST 提供的 CRC 表生成器实用程序（使用选项 -sl 调用的 STM32_Programmer_CLI.exe）不会在第 3 个扇区内使用中内存的最后一个字节之后生成 CRC。为了解
2022-12-06 06:02
我读到闪存只能保证大约 10,000 次写入周期，尽管它可能更多。但是问题来了：如果我对一个扇区写10000次，是只有那个扇区坏掉了，还是所有的内存都坏了？因为我需要无风险地记录一个变量
2023-05-29 06:19
用户手册时，它参考了内存映射附件表，但无法获得有关内部内存如何划分为扇区的更多详细信息。每个扇区如何像任何保留扇区/只读
2023-03-15 07:36
win ce操作系统，在触摸屏正常使用一段时间后，出现FAT表损坏，有130个扇区ECC错误，所以可能的原因是NAND芯片本身损坏或者NAND读写过程的外部条件变化导致写过程充电不够。请问各位大侠，哪些情况会造成的
2014-03-18 22:10
程序调用页擦除库函数擦除内部FLASH扇区数据时，函数返回值正常，但仿真查看内存发现目标扇区并未成功擦除。 擦除前解锁FLASH正常，FLASH寄存器相关状态标志正常。系统频率72MHz，按手册要求
2024-05-23 06:44
F401xD/E中的嵌入式闪存根据手册，STM32F401xD/E 具有相同数量的扇区。我希望只有 STM32F401xE 有一个额外的扇区 7。
2022-12-12 08:07
