我正在将一些代码从 stm32f105 移植到 stm32f205。stm32f105 的内存在 64 页 2kbytes 中被擦除（我可以处理这个）
2023-01-05 09:03
入引导加载程序模式等。每当更新引导加载程序闪存数据时，我都会先擦除整个扇区。然后我对我的数据进行编程。我注意到在 1-3 次闪存写入后，包含引导加载程序闪存数据的扇区损坏并且内
2023-02-06 07:37
我正在使用 stm32f746 和 touchGFX 开发一个项目。我需要将一些数据存储到闪存中并在需要时更改它，我想我必须擦除整个扇区，但我不想这样做，因为我在每个扇区都有一些数据。我现在使用 85% 的闪存。那么
2023-02-03 10:41
我读到闪存只能保证大约 10,000 次写入周期，尽管它可能更多。但是问题来了：如果我对一个扇区写10000次，是只有那个扇区坏掉了，还是所有的内存都坏了？因为我需要无风险地记录一个变量
2023-05-29 06:19
STM32F407的FLASH为什么只能按扇区擦除？怎样使用STM32F407内部扇区储存数据？
2021-09-24 12:04
问题。 问题是，每次在引导加载程序完成之后，在用户程序以某种未知的方式启动之前，扇区 1 （address=0x1000） 中的闪存数据都会损坏。 众所周知，rBoot 使用两个闪存扇区进行工作
2024-07-10 07:10
我正确理解，在 stm32h743 中，您只能最少删除一个 128K 字节的扇区？
2023-01-13 07:14
，这是因为 ST 提供的 CRC 表生成器实用程序（使用选项 -sl 调用的 STM32_Programmer_CLI.exe）不会在第 3 个扇区内使用中内存的最后一个字节之后生成 CRC。为了解
2022-12-06 06:02
F401xD/E中的嵌入式闪存根据手册，STM32F401xD/E 具有相同数量的扇区。我希望只有 STM32F401xE 有一个额外的扇区 7。
2022-12-12 08:07
*) l_address;l_index += 1;l_地址 += 1;}```问题是下面的，当我读完整个扇区后，数据变得不一样了，特别是，它被零填充了。代码有什么问题？PS 如何在不使用 hard-coddding 的情况下获取扇区中
2023-01-04 06:08
