HMC439QS16G(E)是一款数字鉴相鉴频器，适合低噪声相位锁相环应用，输入频率10至1300 MHz。 它将高工作频率和超低相位噪底结合在一起，能够提供具有很宽环路带宽的合成器和低分频数，从而
2023-02-09 14:13 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 2SJ439-VB MOSFET 产品简介**产品描述：**2SJ439-VB 是一款单通道 P 型 MOSFET，专为高效能量管理设计。该 MOSFET 封装为 TO-251，具有优异的导
2024-07-15 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
STK001SF-VB 详细参数和应用简介：**参数：**- 丝印：VB1240- 品牌：VBsemi- 封装：SOT23- 类型：N—Channel沟道- 额定电压：20V- 额定电流：6A- 导
2024-04-09 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ439-Z-VB产品简介2SJ439-Z-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET，采用TO-252封装。该器件具有高漏极-源极电压（VDS）、低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种
2024-07-15 15:00 微碧半导体VBsemi 企业号
### **STK1060F-VB 产品简介**STK1060F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 通道 MOSFET，设计用于高效的开关电源和负载控制应用。其最大漏源电压（VDS）为
2025-09-18 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### **STK0465-VB 产品简介**STK0465-VB 是一款单 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于高效的电源管理和开关控制应用。它的最大漏源电压（VDS）为
2025-09-18 14:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、STK0465F-VB 产品简介STK0465F-VB 是一款采用 TO220F 封装的单 N 沟道 MOSFET，设计用于高电压和中等电流的应用场景。其漏源电压（VDS）为 650V
2025-09-18 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### STK0850F-VB MOSFET 产品简介**STK0850F-VB** 是一款高电压单N通道MOSFET，采用TO220F封装，适用于高达650V的电压环境，并且最大栅源电压为±30V
2025-09-18 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介2SJ439-VB 是 VBsemi 公司生产的单通道 P 型 MOSFET，采用 TO252 封装。该器件具有较低的导通电阻和适中的电流处理能力，适用于一般功率管理和开关
2024-07-15 14:59 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：FDT439N-VB丝印：VBJ1322品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：30V- 额定电流：7A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ @ 10V, 38m
2023-12-22 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
