### AP1332GEU-VB MOSFET 产品简介AP1332GEU-VB 是一款低压单 N-沟道 MOSFET,设计用于低电压应用中。采用小型的 SC70-3 封装,具有低导通电阻和低功耗
2024-12-16 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、AP1332EU-VB 产品简介AP1332EU-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用先进的沟道技术(Trench),具备低导通电阻和快速开关特性。该器件封装在SC70-3封装中
2024-12-16 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号
惠普 E1332A 4 通道计数器/累加器特征:1 插槽、B 尺寸、基于寄存器频率范围:4 MHz7 个计数器功能可编程直接或隔离输入可编程数字输入可编程触发电平两个输入电压范围E1332A 4
2025-06-03 18:04 深圳市国雄电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号:AP1332GEU-HF-VB**AP1332GEU-HF-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用先进的沟槽技术,封装形式为SC70-3。该器件具有低导通电阻和高电流
2024-12-16 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### AF1332N-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介AF1332N-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用SC70-3封装,适用于低功率和小尺寸电路设计。具备20V的漏源极电压
2024-11-27 15:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:AF1332PNULA-VB**AF1332PNULA-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,适合于低电压和中电流应用。该器件封装在SC70-3
2024-11-27 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1332GEU-VB MOSFET 产品简介VBsemi的1332GEU-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用SC70-3封装技术。这种MOSFET在20V的漏源电压(VDS)和12V
2024-07-05 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1332EU-VB 产品简介**产品概述**:1332EU-VB 是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,适用于低压范围内的功率控制和开关应用。其封装为SC70-3,体积小
2024-07-05 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AF1332PNUL-VB**是一款单N沟道MOSFET,采用SC70-3封装。它具备低压漏极-源极电压和低导通电阻特性,适合于低电压开关和功率控制的小型应用场合。采用
2024-11-27 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AF1332PNUA-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SC70-3封装。它具有低漏源电压和高电流承载能力,适用于要求高效能耗和小尺寸的电子设备和集成电路中的电源开关和信号处理
2024-11-27 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号