**封装:** SOT23**参数:**- **沟道类型:** P—Channel- **最大漏极电压:** -30V- **最大漏极电流:** -5.6A-
2024-03-11 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
=0.45~1V;封装:SOT23**详细规格:**- 封装类型:SOT23- 晶体管类型:N-Channel- 电压额定:20V- 电流额定:6A- 导通电阻:24m
2024-03-11 15:21 微碧半导体VBsemi 企业号
, 8Vgs (±V)- 阈值电压:0.45~1V (Vth)- 封装:SOT23应用简介:ST2300S23RG-VB是一款低压降的N沟道MOSFET器件,适用于多种
2023-12-19 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号
=4.5V,VGS=12V;Vth=-0.81V- **封装:** SOT23**详细参数说明和应用简介:**1. **SOT23封装:** 小型
2024-03-08 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号
:-30V- 最大电流:-5.6A- 开启电阻:47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压:-1V**封装:** SOT23**详细参数说明:**- **沟
2024-03-11 17:51 微碧半导体VBsemi 企业号
=-2.5V 封装:SOT23详细参数说明:- 型号:2SJ209-VB- 丝印:VB2101K- 品牌:VBsemi- 参数: - 封装类型:SOT23&
2024-03-07 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
ST2341S23RG (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。应用简介
2023-12-13 11:01 微碧半导体VBsemi 企业号
~1V;封装:SOT23**详细规格:**- 封装类型:SOT23- 晶体管类型:N-Channel- 电压额定:20V- 电流额定:6A- 导通电阻:24mΩ
2024-03-14 11:59 微碧半导体VBsemi 企业号