一、9575-SOT223-3-VB 产品简介：9575-SOT223-3-VB 是由品牌 VBsemi 生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管。该器件采用 SOT223 封装，具有负向栅极
2024-06-19 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4NF20L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SOT223封装，具有中压承受能力和稳定的性能特征。这款MOSFET适用于需要中等电压和低功率特性的应用场合。### 详细参数
2024-11-13 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介1NF20-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用槽沟道技术，具有高达200V的漏极-源极电压（VDS）和1A的漏极电流（ID）能力。该器件采用SOT223封装，适用于
2024-07-09 14:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介BSP321P-VB是一款高性能的单P沟道MOSFET，采用SOT223封装。该MOSFET利用Trench技术设计，能够处理高达-100V的漏源极电压，专为负电压应用而设计。它
2025-01-09 15:27 微碧半导体VBsemi 企业号
**1. 产品简介：**BSP75N-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封装为 SOT223。采用 Trench 技术，提供可靠的开关性能和适中的导通电阻，适合用于中等功率和电流
2025-01-09 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP9915GK-VB 产品简介AP9915GK-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT223封装。该器件采用先进的沟槽技术，具有低阈值电压、低导通电阻和高漏源极电流特性，适用于需要
2024-12-26 14:22 微碧半导体VBsemi 企业号
的 SOT223 封装，适合空间受限的环境，同时提供可靠的性能和稳定性。## 详细参数说明- **封装**: SOT223- **配置**: 单 N 沟道- **漏
2025-01-13 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
、中等电流能力的N沟道MOSFET，采用沟槽技术设计。其SOT223封装提供了紧凑的尺寸和有效的散热性能，使其适用于空间受限但需要较高电流的应用。这款MOSFET
2025-01-13 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号
为 SOT223，适合在紧凑空间内进行功率控制和管理。### AP9435GK-HF-VB 详细参数说明- **封装类型**：SOT223- **配置**：单 P 沟道
2024-12-23 17:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP2311GK-VB MOSFET 产品简介AP2311GK-VB是一款单P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT223封装。采用先进的Trench（沟槽）技术设计
2024-12-17 11:40 微碧半导体VBsemi 企业号
