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型号：1203M-VB <b class='flag-s-7'>SOP</b>8 品牌：微碧

### 产品简介：1203M-VB SOP8是一款单N沟道MOSFET，具有30V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、1.7V的阈值电压（Vth）、11mΩ@VGS

2024-07-05 15:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：094N03S-VB <b class='flag-s-7'>SOP</b>8 品牌：微碧

### 094N03S-VB 产品简介：094N03S-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，封装为 SOP8。该器件具有 30V 的漏极-源极电压（VDS），20V 的栅极-源极电压（VGS

2024-07-04 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：119N03S-VB <b class='flag-s-7'>SOP</b>8 品牌：微碧

### 119N03S-VB SOP8 产品简介**产品概述**：119N03S-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用先进的Trench技术制造，具有低导通电阻和高电流处理能力。这款

2024-07-05 14:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：052N03S-VB <b class='flag-s-7'>SOP</b>8 品牌：微碧

**产品简介：**VBsemi的052N03S-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用槽沟技术，适用于各种应用。该器件具有低导通电阻、高漏极电流和低门极电压等特点，适用于要求高效率和低功率损耗

2024-07-02 16:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：ME9435-VB 品牌：微碧

门源电压 20Vgs (±V) 门阈电压 1.5Vth 封装 SOP8应用简介 ME9435是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制或负载开关的应用。其最大耐压

2023-10-28 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：RF-<b class='flag-s-7'>MOSFET</b>-DRIVER 品牌：

RF-MOSFET-DRIVER型号简介       RF-MOSFET-DRIVER是Microchip推出的一款碳化硅肖特基二极管，这款二极管低寄生

2024-10-25 16:05 立年电子科技 企业号

型号：090N03LS-VB <b class='flag-s-7'>SOP</b>8 品牌：微碧

090N03LS-VB是一款SOP8封装的单路N沟道MOSFET。它的主要特性包括30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS

2024-07-04 13:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9478M-VB 品牌：微碧

### 9478M-VB MOSFET 产品简介9478M-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为SOP8。该MOSFET具有中等功率处

2024-11-25 13:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IRLF120 功率<b class='flag-s-7'>MOSFET</b> 品牌：

IRLF120 功率MOSFET详解产品概述：IRLF120 是一款高效的N沟道功率MOSFET，专为低电压高电流应用设计。其优越的导通性能和快速的开关特性，使其成为电源转换和电机驱动的理想选择

2024-10-27 18:32 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：9410GM-VB 品牌：微碧

### 9410GM-VB MOSFET 产品简介9410GM-VB是一款单N沟道MOSFET，采用先进的Trench技术，封装形式为SOP8。该MOSFET具有低导通

2024-11-23 14:25 微碧半导体VBsemi 企业号