• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 采用SOI-CMOS技术的UV传感器IC

    出途中也能简单、轻松地检知UV辐射量就方便而又实用了。冲电气的UV传感器IC“ML8511”就是这样一款世界首创采用SOI-CMOS技术,实现了UV受光元件与模拟输出电路单芯片化的商品。使用该商品后

    2018-10-25 17:01

  • 国内外进展及SOI产业化进程

    SOI技术的优劣是以常规的体硅技术为参照的。以CMOS技术为例,体硅CMOS技术是以阱的反向PN结作为隔离,将器件分开。而SOI

    2011-07-06 14:11

  • 一种SOI CMOS电脉冲时间间隔测定电路的研制

    一种SOI CMOS电脉冲时间间隔测定电路的研制

    2017-01-22 13:26

  • 常见几种SOI衬底及隔离的介绍

    中元器件的介质隔离,彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应;采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势,因此可以说SOI

    2012-01-12 10:47

  • SOI技术提高CMOSSRAM的抗单粒子翻转能力

    的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力,作电路设计加固则要在芯片面积和功耗方面做出很大牺牲。为了研究绝缘体上硅(SOI)基SRAM芯片的抗单粒子翻转能力,突破

    2010-04-22 11:45

  • FD-SOI与PD-SOI他们的区别在哪?

    本文简单介绍了两种常用的SOI晶圆——FD-SOI与PD-SOI

    2024-03-17 10:10

  • FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)

    个掩模,而某些基板CMOS则需要多达50个掩模。FD-SOI缩减制造工序15%,缩短交货期10%,这两大优点可大幅降低成本。此外,采用FD-SOI工艺制造的芯片在功耗上可以大幅降低,还可以缩小面积节约

    2016-04-15 19:59

  • SOI技術介紹

    所谓SOI(Silicon-On-Insulator),就是在绝缘体上涂上一层很薄的硅。我们知道,硅是一种半导体,电子在晶体管中流动时难免会有电子流失,所以在硅中插入一层绝缘体就可以有效地阻止电子

    2011-07-06 14:09

  • stm32全称是什么

    stm32全称是意法半导体32位系列微控制器芯片。

    2017-10-09 18:21

  • 意法半导体(ST)与Soitec携手CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程

    意法半导体(ST)、Soitec与CMP(Circuits Multi Projets)携手宣佈,大专院校、研究实验室和设计公司将可透过CMP的硅中介服务採用意法半导体的CMOS 28奈米FD-SOI (Fully Depleted Silicon-on-Insu

    2012-10-25 09:42