和高电流操作的功率电子应用。### 47N60CFD-VB MOSFET详细参数说明- **封装形式**:TO247- **配置**:单N沟道- **漏源电压 (
2024-11-11 17:03 微碧半导体VBsemi 企业号
器件封装为TO247,适用于需要高性能和高可靠性的高压电力转换和控制应用。### 15N60L-T47-T-VB MOSFET 参数说明- **型号**: 15N
2024-07-06 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
优异的耐压能力和稳定的性能,适合要求高功率和可靠性的电子系统设计。### 详细参数说明- **型号**: 47N60C3-VB- **封装**: TO247- **
2024-11-11 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
应用。采用先进的沟槽(Trench)技术制造,该器件具备稳定可靠的电气特性,广泛应用于工业、汽车电子、电源管理等领域。### 二、47N10L-VB 详细参数说明-
2024-11-11 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
特点SN74LVC1G08是一个2输入门集成电路,可以实现74LV的数学逻辑运算。74LVC1G08是一个2输入门集成电路,可以实现74LV的数学逻辑运算。引脚和封装先
2024-04-13 15:44 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 一、产品简介47N60S5-VB是VBsemi公司推出的高压N沟道MOSFET,采用TO247封装。它具有650V的漏源电压(VDS),适用于要求高电压和高电流承载能力的电源开关和功率管
2024-11-11 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号