### 一、产品简介**型号：BSC100N06LS3 G-VB**BSC100N06LS3 G-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用DFN8(5x6)封装。这款MOSFET利用先进
2025-01-08 17:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC067N06LS3 G-VB MOSFET 产品简介BSC067N06LS3 G-VB 是一款高性能单N通道MOSFET，封装在DFN8(5x6)外壳中。该MOSFET 设计用于需要
2025-01-08 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
BSZ067N06LS3G 是一款高性能的功率MOSFET，适用于各种电源应用。以下是关于该产品的详细信息：**产品详情：**BSZ067N06LS3G 是一款 N沟道增强型功率MOSFET，具有低
2024-04-25 20:23 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
低功耗和高输出驱动能力，1.65V至5.5V芯片之间的电源电压VCC可以正常工作。SN74LVC1G08具有多种小型封装形式，可广泛应用于高端精密仪器 描述
2024-04-13 15:44 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
### 产品简介BSZ067N06LS3 G-VB是一款高效能单管N沟道MOSFET，封装形式为DFN8(3X3)。该MOSFET支持60V的漏极-源极耐压和±20V的栅极-源极耐压，门槛电压为3V
2025-01-10 15:11 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**100N06LS3-VB是一款DFN8(5X6)封装的单路N沟道MOSFET。它具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，正负值），2.5V的阈值电压
2024-07-04 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi的067N06LS3-VB是一款单通道N沟道MOSFET，采用槽沟技术，适用于60V的中压工作环境。它具有低导通电阻和高电流承载能力，适合在需要高效能和低功耗的电路
2024-07-03 13:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**BSZ100N06LS3** 是一款单极N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），封装形式为DFN8(3X3)。它采用了沟槽（Trench）技术，具有优良的性能和低导通电
2025-01-10 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号
