LED的反向漏电流（Ir）偏移量超过ESD测试前测量值的10倍。这也是判断LED是否受到静电击穿的一个指标。
2024-02-18 12:28
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2016-06-02 11:01
MOS管的一个显著特点是其高输入电阻和小的栅-源极间电容。这种结构使得MOS管极易受到外部电磁场或静电的影响，从而带电。在静电较强的环境下，电荷难以泄放，这增加了静电击穿的风险。
2024-10-04 16:35
LED芯片漏电可能是芯片工艺不规范，或者金属层氧化腐蚀，也有可能静电击穿。大的静电击穿点可以肉眼或者光学显微镜观察，小的静电击穿点必须通过扫描电镜观测鉴定。金鉴检测提供LED静
2021-11-24 11:05
MOS管为什么会被静电击穿？静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗？击穿就一定短路了吗？JFET管静电击穿又是怎么回
2021-09-28 18:14
较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两种方式：一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路;二是功率型，即
2018-01-08 10:13
二极管遭静电击穿是一种常见的电子元件损坏现象，通常发生在电子设备的生产、测试、维修或使用过程中。静电击穿是由于静电放电（ESD）引起的，当人体或物体上的静电积累到一定程
2024-09-14 18:14
MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电（少量电荷就可能在极间电容上形成相当高的电压（想想U=Q/C）将管子损坏），又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起
2016-04-06 14:21
其实MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。
2022-05-16 15:05
LED内部的PN结在应用到电子产品的制造、组装筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节，难免不受静电感应影响而产生感应电
2010-11-22 17:58
