作为全球高速ADC/DAC的领导者，ADI为毫米波5G应用推出了基于SiGe和28nm CMOS工艺的、从基带到毫米波频段的完整链路解决方案，支持最大1.2GHz模拟带宽。
2019-07-24 06:13
请注意LS和CMOS之间的高电平的不兼容性。
2022-03-11 10:28
基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有
2019-06-08 09:11
STM32单片机如何设置以兼容CMOS与TTL电平呢？ 要使STM32单片机兼容CMOS与TTL电平，需要了解CMOS和
2024-02-02 13:57
与通过源漏嵌入 SiC 应变材料来提高NMOS 的速度类似，通过源漏嵌入 SiGe 应变材料可以提高PMOS的速度。源漏嵌入 SiGe 应变技术被广泛用于提高90nm 及以下工艺制程PMOS的速度
2024-07-26 10:37
这篇应用笔记描述了硅锗技术是如何提高RF应用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪声的影响。SiGe技术显示出更宽的增益带宽从而可以给出更小的噪声。SiGe技术在线性度方面
2006-05-07 13:41
引言 近年来，硅/硅锗异质结构已成为新型电子和光电器件的热门课题。因此，人们对硅/硅锗体系的结构制造和输运研究有相当大的兴趣。在定义Si/SiGe中的不同器件时，反应离子刻蚀法（RIE）在图案转移
2023-12-28 10:39
采用SiGe：C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品 恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe：C技术的产品，其QUBiC4 SiGe：C工艺技术可提供高功率增益和优
2010-05-24 11:06
电平兼容) AC/ACT——Advanced CMOS Logic(ACT与TTL电平兼容)（亦称ACL） AHC/AHCT——Advanced High-speed CM
2018-09-20 18:26
摘要 在先进的p型金属氧化物半导体场效应晶体管中，SiGe沟道可用于提高空穴迁移率和定制阈值电压偏移。在这种器件的源极/漏极区中SiGe:B的低温选择性外延生长(SEG)之前，SiGe氧化物的有效
2022-06-20 15:27
