本内容详细介绍了适合制作CMOS的SiGe PMOSFET ，欢迎大家下载学习
2011-07-26 18:02
器件达到新的性能水平。幸运的是，随着硅锗(SiGe)和 CMOS 半导体工艺的不断改进，集成度得以提高，同时功耗有所下降。利用直接变频架构，无线电设计人员还能够实现较宽的设计频率范围，并可在单个硬件平台
2019-07-04 07:33
使用SiGe技术和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电解决方案上，也有完美的答案哦，让版主带大家一起来瞧瞧吧。 完整解决方案专场下图是一个Eaton ADS8系列过载继电器，提供20个载波，每个载波
2018-08-01 09:49
作为全球高速ADC/DAC的领导者，ADI为毫米波5G应用推出了基于SiGe和28nm CMOS工艺的、从基带到毫米波频段的完整链路解决方案，支持最大1.2GHz模拟带宽。
2019-07-24 06:13
CMOS-4 - CMOS-4 - NEC
2022-11-04 17:22
基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)来减小晶体管基极电阻。由于没有
2019-06-08 09:11
射频功放芯片设计工程师（GaAs/SiGe）工作地点：广州负责专用无线通信射频功率放大器芯片设计、测试与调试。职位要求：1、硕士研究生及以上，微电子及相关专业，3年以上工作经验；2、有成熟GaAs
2013-12-18 11:10
查询了一些资料，知道了分频器是锁相环电路中的基本单元．是锁相环中工作在最高频率的单元电路。传统分频器常用先进的高速工艺技术实现。如双极、GaAs、SiGe工艺等。随着CMOS器件的尺寸越来越小，可用
2021-04-07 06:17
想了解一下RF IC设计中的SiGe Bipolar或BiCMOS工艺，在此先谢谢了！
2016-02-20 22:59
ECLinPS Max (SiGe) SPICE 建模套件
2022-11-15 19:37
