本内容详细介绍了适合制作CMOS的SiGe PMOSFET ，欢迎大家下载学习
2011-07-26 18:02
想了解一下RF IC设计中的SiGe Bipolar或BiCMOS工艺，在此先谢谢了！
2016-02-20 22:59
作为全球高速ADC/DAC的领导者，ADI为毫米波5G应用推出了基于SiGe和28nm CMOS工艺的、从基带到毫米波频段的完整链路解决方案，支持最大1.2GHz模拟带宽。
2019-07-24 06:13
CMOS是一个简单的前道工艺，大家能说说具体process吗
2024-01-12 14:55
采用SiGe：C BiCMOS工艺技术的射频/微波产品 恩智浦将在2010年底前推出超过50种采用SiGe：C技术的产品，其QUBiC4 SiGe：C
2010-05-24 11:06
基于0.35 μm Si CMOS 平面工艺制定了放大器单芯片集成的工艺流程。为了进一步降低放大器的噪声系数，在制作放大器中SiGe 器件时，采用钛硅合金(TiSi2)
2019-06-08 09:11
使用SiGe技术和28nm CMOS的24GHz至44GHz无线电解决方案上，也有完美的答案哦，让版主带大家一起来瞧瞧吧。 完整解决方案专场下图是一个Eaton ADS8系列过载继电器，提供20个载波，每个载波
2018-08-01 09:49
CMOS工艺，具体的是CMOS结构对集成电路设计有帮助，谢谢
2016-03-18 15:35
。考虑到Si载流子的迁移率低，有些公司将目光投向化合物半导体（SiGe及Ⅲ/Ⅴ族的GaAs、InP等）；为了减少 Si衬底的损耗和降低器件尺寸的物理限制，另有一些公司对原有标准CMOS工艺做了革新，有
2018-11-26 16:45
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：CMOS 单元工艺编号：JFSJ-21-027作者：炬丰科技网址：http://www.wetsemi.com/index.html晶圆生产需要三个一般过程：硅
2021-07-06 09:32
