和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07
三菱电机新开发了3.3kV金属氧化物半导体场效应管碳化硅模块（SiC-MOSFET），采用了嵌入式肖特基势垒二极管（SBD-Embedded）技术，可以满足铁路应用的高可靠性、高功率和高效率要求
2024-10-31 16:47
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
IGBT 广泛用于大功率转换器设计。表 1 提供了基于 Si 的模块和基于 SiC-MOSFET 的模块之间基于其开关速度的比较。
2022-07-26 08:02
和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的 SiC 开关。这里的重点是如何有效地测量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03
罗姆在全球率先实现了搭载罗姆生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可
2018-05-17 09:33
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接线图，并解释了如何将其整合到仿真中。
2022-08-04 09:32
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC
2024-10-16 13:52
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压
2022-07-06 12:30
以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和综合成本层面已得到产业界的认可。基于大量的设
2022-02-18 16:44
