点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET与传统硅MOSFET和 IGBT相比具有显著优势。SiCMOSFET很好地兼顾了高压、高频和开关
2023-11-09 10:10
在现代电力电子技术中，氮化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其优异的性能而受到广泛关注。SiCMOSFET以其高效率、高温耐受性和高频性能等特点
2025-01-06 17:01
在近日举行的elexcon2024深圳国际电子展上，威兆半导体震撼发布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，该产品以其卓越的性能
2024-09-03 15:40
本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC
2015-06-12 09:51
驱动器和 SiC MOSFET 打开电源开关的大门
2023-01-03 09:45
SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
可行的解决方案。 首先，让我们了解一下SIC MOSFET的基本原理和结构。SIC（碳化硅）MOSFET是一种基于碳化硅材料制造的金属氧化物半导体场效应晶体管。相较于传
2023-12-21 11:15
SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）和SiC SBD（碳化硅肖特基势垒二极管）是两种基于碳化硅（SiC）材料的功率半导体器件，它们在电力电子领域具
2024-09-10 15:19
点击蓝字 关注我们 对于高压开关电源应用，碳化硅或 SiC MOSFET 与传统硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有显著优势。开关超过 1,000 V的高压
2023-10-18 16:05
