本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环
2015-06-12 09:51
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC
2024-10-16 13:52
SiC MOSFET与传统硅MOSFET在短路特性上有所差异，以英飞凌CoolSiC™ 系列为例，全系列SiC MOSFET
2018-06-15 10:09
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接线图，并解释了如何将其整合到仿真中。
2022-08-04 09:32
以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠
2022-02-18 16:44
，因此对于驱动器提供高效率水平至关重要。 在工业电源应用中，电子设计人员可以通过使用基于碳化硅的晶体管 (SiC MOSFET) 获得巨大的好处，与传统的基于硅的解决方案（例如IGBT（绝缘栅双极晶体管））相比，它提
2022-08-04 10:09
SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的，目前大部分都不承诺短路能力，有少数在数据手册上标明短路能力的几家，也通常把短路耐受时间（SCWT：short circuit withstand time）限制在3us内
2023-12-13 11:40
基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC
2023-12-01 09:47
