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型号：Qorvo <b class='flag-s-7'>SiC</b> E1B模块 品牌：

极驱动器，支持与Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超结器件兼容的单极栅极驱动器。该器件采用E1B模块封装，具有超低栅极电荷和出色的开关特性，非常

2024-02-26 14:00 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：UF3C170400K3S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或

2023-05-12 14:20 立年电子科技 企业号

型号：UF3C120080B7S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或

2023-05-12 11:54 立年电子科技 企业号

型号：UF3C065080B3 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或

2023-05-11 20:28 立年电子科技 企业号

型号：UF3C120080K3S 品牌：

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或

2023-05-12 12:26 立年电子科技 企业号

型号：UF3C065080K3S 品牌：

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 S

2023-05-11 20:45 立年电子科技 企业号

型号：UF3C065080B7S 品牌：

JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级

2023-05-11 20:38 立年电子科技 企业号

型号：UF3SC120009K4S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或

2023-05-12 14:47 立年电子科技 企业号

型号：UF4SC120030K4S 品牌：

常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极

2023-05-12 15:46 立年电子科技 企业号

型号：UF3C120150B7S 品牌：

与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或

2023-05-12 12:44 立年电子科技 企业号