`SUN2310SGP沟道增强型功率场效应管（MOSFET） ，采用高单元密度的 DMOS 沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。 采用带散热片的 SOP8 封装`
2011-05-17 10:57
来源：互联网在电子电路设计当中很多情况下都要考虑EMC的问题。在设计中使用MOS管时，在添加散热片时可能会出现一种比较纠结的情况。当MOS管的EMC通过时，散热片需要接地，而在散热片不接地的情况下
2020-10-22 15:34
电源芯片MOS模块散热神器-石墨铜散热片一贴即可
2014-11-05 14:44
;<font face="楷体_GB2312" size="5">图中带散热片的是元件是什么呢
2009-08-18 20:27
积小，爬电距离宽：漏极和源极之间的距离为7mm。通过采用新的表面贴装封装，设计工程师可以实现经济的散热设计，而无需MOSFET上的散热片。演示板不是专为产品设计的，仅用作评估Cree开关设备性能的工具
2019-04-29 09:25
`友善精心定制的Nanopi Neo散热片 来了 你的Neo不怕发烧了//item.taobao.com/item.htm?spm=a1z10.1-c.w4004-7494828559.2.rDsrya&id=536259714229`
2016-07-28 13:46
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC
2018-08-27 13:47
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15
