下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
和 MOSFET。目前可提供击穿电压为 600 至 1,700 V、额定电流为 1 至 60 A 的 SiC 开关。这里的重点是如何有效地测量 SiC MOSFET。
2022-07-27 11:03
以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片，表明SiC MOSFET在性能、可靠性和综合成本层面已得到产业界的认可。基于大量的设
2022-02-18 16:44
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。 SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07
型MOSFET作为MOSFET的一种重要类型，在电子设计和工程领域中有着其独特的地位。本文将对耗尽型MOSFET的基本概念、特点以及工作原理进行详细的探讨。
2024-05-12 17:19
碳化硅MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）是一种半导体器件，它的工作原理是通过控制门电压来控制通过源极和漏极的电流。
2023-02-15 15:43
本文介绍了MOSFET的物理实现和操作理论。MOSFET由NMOS和PMOS构成，有截止区、线性区和饱和区。图示了NMOS和PMOS的物理结构，以及针对不同驱动电压的电流-电压曲线。还讨论了饱和区的细节，展示了NMOS和PMOS的漏极电流与漏极-源极电压之间的关系
2023-11-15 09:30
本文描述了使用 SiC MOSFET 的一般接线图，并解释了如何将其整合到仿真中。
2022-08-04 09:32
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC
2024-10-16 13:52
具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压
2022-07-06 12:30
