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  • SiC功率器件概述

    1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型

    2019-07-23 04:20

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    引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到:目前

    2021-09-15 07:42

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    2023-06-16 06:04

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    2016-11-04 15:50

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    2023-06-16 11:08

  • 采用SiC-FET的PSR反激参考设计

    描述 此设计采用带 SiC-FET 的低成本初级侧调整 (PSR) IC UCC28700,适用于 300VDC-800VDC 的输入范围。产生分别接地的四路输出:25V/19W、25V/17W

    2022-09-27 06:03

  • SiC大规模上车,三原因成加速上车“推手”

    车型都会配置高压快充功能。各车厂将在高压快充全新赛道上一比高下,与之相匹配的SiC(碳化硅)产业链有望驶入产业化快车道。然而,碳化硅还有价格和产品结构二个拦路虎,我们看看与会专家的意见分析。今年9月

    2022-12-27 15:05

  • 如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

    对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。

    2018-08-27 13:47

  • 【论文】基于1.2kV全SiC功率模块的轻型辅助电源

    基于1.2kV全SiC功率模块的轻型辅助电源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric

    2017-05-10 11:32

  • 具有全SiC MOSFET的10KW交错式升压转换器参考设计

    介绍了采用商用1200V碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加

    2019-05-30 09:07