• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 高可靠性SiC MOSFET芯片优化设计

    以特斯拉Model 3为代表的众多电动汽车量产车型成功应用SiC MOSFET芯片,表明SiC MOSFET在性能、可靠性和综合成本层面已得到产业界的认可。基于大量的设计优化和可靠性验证工作,瑞能

    2022-02-18 16:44

  • 浅谈SiC MOSFET芯片的短路能力

    SiC MOSFET芯片的短路能力是非常差的,目前大部分都不承诺短路能力,有少数在数据手册上标明短路能力的几家,也通常把短路耐受时间(SCWT:short circuit withstand time)限制在3us内。

    2023-12-13 11:40

  • SiC MOSFET和SiC SBD的优势

    下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列,进行详细介绍

    2023-11-01 14:46

  • 一文了解三菱电机高压SiC芯片技术

    三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET,并将其产品化,率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中,是一家在市场上拥有良好业绩记录的SiC器件制造商。本篇带你了解三菱电机高压SiC

    2024-12-18 17:35

  • 瞻芯电子比邻驱动系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片介绍

    比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片,具有紧凑、高速和智能的特点。

    2023-07-21 16:18

  • SiC器件中SiC材料的物性和特征,功率器件的特征,SiC MOSFET特征概述

    SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在

    2018-07-15 11:05

  • 思瑞浦汽车级CAN SIC收发器TPT1462xQ产品优势

    聚焦高性能模拟芯片和嵌入式处理器的半导体供应商思瑞浦3PEAK(股票代码:688536)推出支持振铃抑制功能、具有待机模式的CAN信号改善功能(CAN Signal Improvement Capability, CAN S

    2024-07-30 09:24

  • SiC-SBD和SiC-SBD的发展历程

    为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC-SBD的发展,整理一下当

    2023-02-22 09:19

  • 高效SiC功率器件的演进

    SiC晶体是通过Lely升华技术生长的。晶体主要是6H-SiC,但包括其它多型体。1978年,Tairov和Tsvetkov发明了一种可复制的SiC晶块生长方法。

    2022-12-28 11:44

  • Qorvo在SiC领域的战略布局

    SiC领域正在迎来群雄逐鹿的新时代,而射频芯片巨头Qorvo亦在电源应用领域耕耘多年,已占据自己的一席之地。

    2024-08-12 14:57