• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • SiC功率器件概述

    1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型

    2019-07-23 04:20

  • 了解一下SiC器件的未来需求

    引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到:目前

    2021-09-15 07:42

  • ADI公司芯片集成库

    个人整理的ADI公司芯片的集成库

    2013-08-08 21:07

  • SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数

    Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率

    2023-06-16 06:04

  • SIC碳化硅二极管

    SIC碳化硅二极管

    2016-11-04 15:50

  • 关于GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新

    GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新

    2023-06-16 11:08

  • SiC大规模上车,三原因成加速上车“推手”

    实现“充电5分钟,续航超200公里。”极氪智能旗下威睿电动汽车技术有限公司正式发布了600kW超充技术,并已实现量产,据称可实现充电5分钟续航里程增加300公里。哪吒汽车发布浩智800V SiC高性能

    2022-12-27 15:05

  • 采用SiC-FET的PSR反激参考设计

    描述 此设计采用带 SiC-FET 的低成本初级侧调整 (PSR) IC UCC28700,适用于 300VDC-800VDC 的输入范围。产生分别接地的四路输出:25V/19W、25V/17W

    2022-09-27 06:03

  • 如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

    对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。

    2018-08-27 13:47

  • 【论文】基于1.2kV全SiC功率模块的轻型辅助电源

    基于1.2kV全SiC功率模块的轻型辅助电源R.Nakagawa, Y.Fukuda,H.Takabayashi, T.Kobayashi, T.TanakaMitsubishi Electric

    2017-05-10 11:32