稳定性和高功率密度,解决了IGBT模块在电镀和高频电源中的瓶颈问题。随着技术成熟和成本下降,SiC将全面取代IGBT,推动电源行业向更高效、紧凑、可靠的方向演进,实现颠覆性变革。 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC
2025-04-12 13:23
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
2025-05-10 13:38
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
2025-06-24 17:26
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
2025-06-19 16:57
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
2025-06-09 17:22
MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块,碳化硅
2025-05-04 09:42
基于BASIC Semiconductor基本半导体股份有限公司 碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案 BASiC基本股份SiC
2025-05-03 10:45
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅
2025-06-19 16:50
倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住
2025-02-12 06:41
模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜咬住
2025-02-09 20:17