众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个碳化硅器件的良好基础，高性能的
2023-07-10 10:49
碳化硅，又称SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基材。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍、硼、铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅的品种和纯度很
2023-12-08 09:49
过去十年，碳化硅(SiC)功率器件因其在功率转换器中的高功率密度和高效率而备受关注。制造商们已经开始采用碳化硅技术来开发基于各种半导体器件的功率模块，如双极结晶体管(BJT)、结型场效应晶体管
2024-05-30 11:23 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
比邻驱动(Nextdrive)是瞻芯电子自主创新开发的一系列碳化硅(SiC)专用栅极驱动芯片，具有紧凑、高速和智能的特点。
2023-07-21 16:18
各位小伙伴，不久前我们推送了“SiC科普小课堂”视频课——《什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？》后反响热烈，很多朋友留言询问课件资料。今天，我们将这期视频的图文讲义奉上，方便大家更详尽地了解在
2024-12-19 11:39
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。
2024-01-20 17:18
碳化硅单晶衬底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下简称SiC衬底）也是晶体材料的一种，属于宽禁带半导体材料，具有耐高压、耐高温、高频、低损耗等优势，是制备大功率电力电子器件以及微波射频器件
2023-05-18 09:54
SiC是碳化硅的缩写。它是一种由硅原子和碳原子组成的化合物。碳化硅以其优异的性能著称，是一种用途广泛的材料。
2024-01-09 09:41
碳化硅（SiliconCarbide，简称SiC）功率器件是近年来电力电子领域的一项革命性技术。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有显著优势。本文将深入探讨
2024-09-11 10:44
