SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50
250V左右。对于能够耐受500～600V以上反向电压要求，人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件，因为它能够耐受较高的电压。 除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。 由于
2019-01-11 13:42
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42
阻。尽管普通二极管的“惯性”较大，但是在超过200V的工作电压场合，普通的PIN二极管占主导地位。 源于硅基的肖特基二极管，近年来开发出来新的基于碳化硅(
2019-01-02 13:57
分析如何减少肖特基二极管的压降 1、肖特基二极管压降的意义 肖特基
2018-11-19 15:24
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47
` 肖特基二极管正向压降与温度变化的关系？正向压降与温升变化是呈线性变化的关系，当肖特基
2018-12-25 14:04
电流值往往可达几百。 4、什么是二极管的正向导通压降? 二极管在正向导通，流过电流的时候会产生压
2012-07-15 15:28
` 1、肖特基二极管压降的意义肖特基二极管*的优点是阻抗低、正向压降小
2018-11-01 15:23
650 V CoolSiC™混合分立器件，该器件包含一个50A TRENCHSTOP™ 快速开关 IGBT 和一个 CoolSiC 肖特基二极管，能够提升性价比并带来高可靠性。这种组合为硬开关拓扑
2021-03-29 11:00
