• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 开关柜测温种无线测温优势明显,发展潜力还很大

    无线测温开关柜测温种无线测温优势明显,发展潜力还很大具有极高的安全性,等电位、单点、绝缘装置,没有任何衔接导线 便利装置维护不下降电气设备的绝缘性能,在事故隐患发作时提前预警,有效防止事故的发生并且

    2015-03-17 09:48

  • 中国大陆最具发展潜力的10家IC设计公司

    本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 编辑 <h1>中国大陆最具发展潜力的10家IC设计公司</h1>&

    2008-05-28 12:58

  • 潜力巨大 中国市场不容忽视

    发展——亚洲区增长率为 3.9%,中国为7.9%,由此可见DSP的市场发展空间巨大。 在消费产品领域,诸如DVD机及其他音响设备将继续走俏。在诸多电子系统领域,用户越来越追求更好更快的用户界面,人们

    2011-07-16 14:25

  • SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数

    Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域,如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率

    2023-06-16 06:04

  • 射频开展优势明显 前端市场潜力巨大

    都是紫光展锐的名牌。尤其是当前智能手机市场增速放缓而射频前端市场增长潜力巨大的情况下,更将成为重点!”同时,紫光展锐也针对目前快速增长的市场做了相应的准备,贾智博补充道:“首先,公司会集中优质资源,不断

    2019-12-20 16:51

  • 如何用碳化硅(SiC)MOSFET设计一个高性能门极驱动电路

    对于高压开关电源应用,碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC

    2018-08-27 13:47

  • 具有全SiC MOSFET的10KW交错式升压转换器参考设计

    介绍了采用商用1200V碳化硅(SiCMOSFET和肖特基二极管的100KHz,10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加

    2019-05-30 09:07

  • 汽车类双通道SiC MOSFET栅极驱动器包括BOM及层图

    描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案,可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源,其中每个电源提供 +15V

    2018-10-16 17:15

  • 面向SiC MOSFET的STGAP2SICSN隔离式单通道栅极驱动

    单通道STGAP2SiCSN栅极驱动器旨在优化SiC MOSFET的控制,采用节省空间的窄体SO-8封装,通过精确的PWM控制提供强大稳定的性能。随着SiC技术广泛应用于提高功率转换效率,STGAP2SiCSN简化了

    2023-09-05 07:32

  • 用于C2M1000170J SiC MOSFET的辅助电源评估板CRD-060DD17P-2

    CRD-060DD17P-2,采用市售1700V碳化硅(SiCMOSFET的单端反激式转换器设计演示板。该设计采用1700V SiC MOSFET,采用新型7LD2P

    2019-04-29 09:25