，还可以进一步实现互联，形成一个分布式网络，从而在这些联接设备之间实现快捷而方便的通信联系，因此它在无线网络系统中的发展潜力巨大。
2019-06-26 06:14
://url.alibaba.com/r/aHR0cDovL3d3dy5kcS1meC5***20pLA==据说目前月营业额最高已超６００万人民币，可见电气行业网购市场还是具有很大的发展潜力。 电气行业零散需求量很大，很多没有
2012-06-29 17:06
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断
2018-12-05 10:04
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技
2023-02-27 13:48
SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势所谓SiC-SBD－关于可靠性试验所
2018-11-27 16:38
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58
电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在Turn-off时会产生尾电流，从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21
栅极电荷，它可以使用高开关频率，从而允许使用较小的电感器和电容器。 相较于SiC的发展，GaN功率元件是个后进者，它是一种拥有类似于SiC性能优势的宽能隙材料，但拥有更大的成本控制
2022-08-12 09:42
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05
