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  • SiC功率器件概述

    相比,能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V~数千V的耐压功率器件耐压功率

    2019-07-23 04:20

  • SiC功率器件概述

    )工作频率的高频化,使周边器件小型化(例:电抗器或电容等的小型化)主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC

    2019-05-06 09:15

  • SiC功率器件的开发背景和优点

    /电子设备实现包括消减待机功耗在内的节能目标。在这种背景下,削减功率转换时产生的能耗是当务之急。不用说,必须将超过Si极限的物质应用于功率器件。例如,利用SiC

    2018-11-29 14:35

  • SiC功率器件SiC-MOSFET的特点

    采用IGBT这种双极型器件结构(导通电阻变低,则开关速度变慢),就可以实现低导通电阻、耐压、快速开关等各优点兼备的器件

    2019-05-07 06:21

  • 什么是基于SiC和GaN的功率半导体器件

    元件来适应略微增加的开关频率,但由于无功能量循环而增加传导损耗[2]。因此,开关模式电源一直是向更高效率和功率密度设计

    2023-02-21 16:01

  • SiC功率模块的开关损耗

    的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC

    2018-11-27 16:37

  • SiC功率器件的特点和优势

    SiC(碳化硅)功率器件正逐渐成为现代电力电子系统中的重要技术,其相较于传统的硅(Si)器件,特别是在

    2024-12-05 15:07

  • 浅析SiC功率器件SiC SBD

    1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用

    2019-05-07 06:21

  • SiC/GaN功率开关有什么优势

    新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步,从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作

    2018-10-30 11:48

  • 开关损耗更低,频率更高,应用设备体积更小的全SiC功率模块

    ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块量产。与以往的Si-IGBT

    2018-12-04 10:14