，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制
2019-07-23 04:20
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2019-05-07 06:21
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构
2019-03-14 06:20
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构
2019-05-07 06:21
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元
2018-11-29 14:35
的高性价比功率芯片和模块产品。 传统的平面型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（Planar SiC MOSFET，例如垂直双扩散金属氧化物晶体管VDMOS）由于器件
2020-07-07 11:42
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于
2023-02-07 16:40
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个
2019-05-06 09:15
不具备足够的坚固性。当前对大功率、高温器件封装技术的大量需求引起了对这一领域的研发热潮。 SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系
2018-09-11 16:12
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结
2018-11-30 11:35
