不具备足够的坚固性。当前对大功率、高温器件封装技术的大量需求引起了对这一领域的研发热潮。 SiC器件的
2018-09-11 16:12
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型
2019-05-07 06:21
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制
2019-07-23 04:20
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元
2018-11-29 14:35
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个
2019-05-06 09:15
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-S
2019-05-07 06:21
可以通过在SiC功率器件上运行HTGB（高温栅极偏压）和HTRB（高温反向偏压）应力测试来评估性能。Littelfuse在温度为175°C的1200V，80mΩSiCM
2019-07-30 15:15
`①未来发展导向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半导体”已逐渐步
2017-07-22 14:12
千瓦。更高的功率水平和简化系统设计的动力将推动SiC模块的开发工作，但是不能过分夸大封装，控制电路和周围功率元件的寄生电感优化的重要性。 图6：
2023-02-27 13:48
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑 亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于
2018-07-27 17:20
