如今，围绕第三代半导体的研发和应用日趋火热。由于具有更大的禁带宽度、高耐压、高热导率、更高的电子饱和速度等特点，第三代半导体材料能够满足未来电子产品在高温、高功率、高压、高频等方面更高的要求，被认为是突破传统硅（Si）器件性能天花板的必由之路。
2024-10-18 15:40
碳化硅（SiC）器件是一种新兴的技术，具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙，允许更高的电压阻断，并使其适用于高
2023-04-13 11:01
碳化硅是一种宽带隙半导体材料，相比于传统的硅材料，具有更高的热导率、更大的电场击穿强度和更高的载流子迁移率等特点。
2024-04-10 14:39
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC
2023-02-22 09:15
在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型
2022-11-22 09:59
近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统
2022-11-24 10:05
SiC（碳化硅）功率器件是一种基于碳化硅材料制造的功率半导体器件，它是继硅（Si）和氮化镓（GaN）之后的第三代半导体材
2024-09-10 15:15
使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56
碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率
2022-11-11 11:06
本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论了GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN
2025-05-15 15:28
