载流子器件（肖特基势垒二极管和MOSFET）去实现高耐压，从而同时实现 "高耐压"、"低导通电阻"、"高频" 这三个特性。另外，带隙较宽，是Si的3倍，因此SiC
2019-07-23 04:20
甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引入内匹配电路，因此内匹配对发挥GaN功率管性能上的优势，有非常重要的现实意义。 2.SIC碳化硅(SiC)以其优良的物理化学特性和
2017-06-16 10:37
引言：前段时间，Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火，现在我们结合最新的市场进展，针对其中使用的碳化硅SiC器件，来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前
2021-09-15 07:42
产品的小型化和轻量化。本文介绍了基于最新1.2kV 全SiC功率模块开发的牵引用APS，凭借全SiC模块的优异特性，使得该APS的效率达到了97%以上。1、APS的工作
2017-05-10 11:32
GeneSiC高速高压SiC驱动大功率创新
2023-06-16 11:08
在太阳能光伏（PV）和能量存储应用中，存在功率密度增加以及始终存在的提高效率需求的趋势。该问题的解决方案以碳化硅（SiC）功率器件的形式出现。 ADuM4135栅极驱动
2020-05-27 17:08
器件输出的交变电流的幅值将逐渐减小。输出辐值降至最大值0.707倍时所对应的光的交变頻率称为截止频率fH。下图为光敏器件的频率特性曲线。fH愈大，说明光敏器件响应或检测
2018-01-09 11:47
器件的特性和主要参数及其工作原理，提出了TVS可以有效的保护TN电源系统、直流电源、信号线路及晶体管集成电路等，其应用范围广，且安全可靠，同时给出了TVS器件在各种电路设计中的典型应用保护电路。应用时
2017-05-27 15:14
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04
